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来源：华尔街见闻
野村认为，得益于AI服务器对DRAM需求的意外强劲以及企业级固态硬盘（eSSD）需求的激增，全球内存行业的“超级周期”将比预期持续更久，预计这一上行周期将至少延续至2027年。
据追风交易台消息，野村分析师CW Chung团队在24日的报告中强调，不仅高带宽内存（HBM）需求持续旺盛，通用型DRAM在AI服务器和传统服务器领域的需求也在2026年呈现出爆发式增长态势。这促使客户开始采取预防性采购策略，从而推动供应商的提价幅度超出了野村此前的预测。
鉴于供应端的大规模产能释放最早要等到2028年，野村预计未来几年内存市场将维持供不应求的局面。野村预测主要内存制造商在2025年第四季度的营业利润将显著超出市场普遍预期。具体而言，PC和移动端DRAM价格环比上涨了30-40%，而服务器DRAM价格涨幅更是达到了40-60%。
受此利好影响，野村重申了对三星电子和SK海力士的“买入”评级。野村将三星电子的目标价上调6.7%至16万韩元，将SK海力士的目标价上调4.8%至88万韩元，认为两家公司的估值相较于行业同行仍具吸引力，且随着盈利能力的显著改善，股价仍有约45%-50%的上涨空间。
AI需求重塑市场格局
野村认为，AI技术对内存市场的重塑作用远超预期。虽然近期市场对AI资本支出能力存在些许担忧，但全球AI公司的数据中心扩张计划并未放缓，反而超出了预期。除了备受关注的HBM需求强劲外，通用型DRAM在2026年的需求预测也令人惊喜。
这种强劲的需求不仅来自AI服务器，也来自非AI服务器对SSD的需求激增。野村指出，由于需求激增，内存客户已开始进行战略性库存储备，这赋予了供应商更大的定价权。相比之下，供应端的反应则相对滞后，有意义的供应增加预计最早要到2028年才会出现。这种供需错配是野村判断“超级周期”将持续至2027年的主要依据。
野村认为，通用存储芯片的盈利能力正在迅速追赶甚至可能超越HBM。虽然此前市场焦点主要集中在HBM上，但野村估计，三星电子和SK海力士的通用存储业务盈利能力已经超过或正在接近各自的HBM业务。
具体数据显示，消费类产品（PC和移动端）的DRAM价格环比上涨了30-40%，服务器DRAM价格环比涨幅高达40-60%。在NAND领域，虽然移动应用价格涨幅相对较缓，但企业级SSD的价格在2025年第四季度预计将环比上涨30-40%。基于此，野村认为其此前对2025年第四季度通用DRAM平均价格环比增长25%的预测显得过于保守。
供应短缺与灵活的产品组合
在供应方面，野村认为短缺状况将持续至2027年。尽管投资者一直在密切关注内存厂商的产能扩张，但考虑到新建工厂、扩建及升级计划的时间表，大规模产能释放需要时间。
此前，内存公司主要将产能分配给HBM，但随着通用存储芯片利润率的快速提升，野村预计厂商将比以前更灵活地生产通用产品。这种策略不仅能最大化利润，还将增强厂商在未来与ASIC客户进行HBM价格谈判时的议价能力。野村特别提到，预计三星电子将更多地专注于通用产品和为英伟达生产HBM4，而SK海力士和美光也将根据自身优势采取灵活的产品组合策略。
上调韩系两大巨头盈利预期
基于上述市场判断，野村大幅上调了对韩国两大存储巨头三星电子和SK海力士的财务预测。
野村认为，目前三星电子和SK海力士的股价估值倍数仍低于其内存同行，随着企业采取积极的股东回报政策以及有纪律的资本支出，两家公司有望迎来估值重估。
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